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中国公布多项技术,光刻机和7纳米工艺都得到解决,外媒:挡不住了

近几天国产芯片技术可谓喜事连连,连续公布了多项光刻机和先进工艺相关的技术,凸显出中国芯片行业的重大技术进展,意味着美国意图联合日本和荷兰阻挡中国发展先进工艺的图谋破灭。

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首先是哈工大公布了两项重要技术,一项是高速超精密激光干涉仪,另一项是EUV激光光源技术,前者确保了光刻机系统整合的精度,后者则解决了光刻机的光源问题,这对于国产光刻机来说无疑是巨大的进步。

此前中国在双工作台、物镜系统等方面都已取得了进步,如今哈工大公布的两项关键技术,可以说是解决光刻机量产的最后一步,不仅先进的DUV光刻机有望实现,甚至EUV光刻机也将加快量产进程。

其次则是中芯国际公布的SAQP技术,该项技术可以现有的DUV光刻机生产7纳米工艺,而中芯国际已采用该项技术突破到10纳米,印证了技术可行性,显示出国内的技术专家积极利用现有的设备推进先进工艺的发展。

以DUV光刻机生产先进工艺,目前已有美光和台积电验证过,美光认为EUV光刻机太贵了,用DUV光刻机生产先进工艺芯片可以降低芯片生产成本;台积电当初以DUV光刻机加上多重曝光技术量产7纳米,则是为了确保7纳米工艺的量产进程,后来才在7纳米工艺上引入EUV光刻机。

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中国芯片行业公布的这些新技术,突显出国内芯片行业考虑现有的芯片设备现实,通过以现有的设备推进先进工艺,这是最为切实可行的,可以迅速满足国内芯片行业对先进芯片制造工艺的需求,业界预期10纳米工艺就能满足国内超过七成的芯片需求。

如果中芯国际以SAQP技术进一步推进到7纳米工艺,那么国产芯片的九成需求都能得以满足,还有国产的小芯片技术,这些技术结合在一起可以提供高性能的芯片,即使是对性能有较高要求的服务器芯片、PC处理器都能靠7纳米工艺得以满足。

先进光刻机的研发则是远期计划,毕竟解决光刻机问题才能从根本上解决芯片制造的问题,而哈工大研发的这些先进技术可望为国产芯片解决长远的发展问题,凸显出国内芯片产业链的前瞻性,并未因为当前遇到困难而止步。

国产芯片在先进光刻机和先进工艺技术上的进展,让外媒震惊,他们没有想到中国的进展如此之快,光刻机巨头ASML近期也改了口风,ASML高管表示中国迟早能生产出先进光刻机,先进工艺问题终将得到解决,只是ASML高管恐怕也没想到竟然如此迅速罢了。

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中国芯片所取得的这些技术进展,证明了国内产业链的基础相当厚实,可以通过分工合作的方式,加快各项技术的突破,最终解决光刻机的关键技术问题,而芯片制造行业也并未停下来等待,积极利用现有的设备开发更先进的工艺,解决了国产芯片的近期目标和远期目标问题,因此外媒表示真的挡不住中国芯片前进的脚步了。


本文转载自: https://blog.csdn.net/AUZ3y0GqMa/article/details/129075878
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