近几天国产芯片技术可谓喜事连连，连续公布了多项光刻机和先进工艺相关的技术，凸显出中国芯片行业的重大技术进展，意味着美国意图联合日本和荷兰阻挡中国发展先进工艺的图谋破灭。
首先是哈工大公布了两项重要技术，一项是高速超精密激光干涉仪，另一项是EUV激光光源技术，前者确保了光刻机系统整合的精度，后者则解决了光刻机的光源问题，这对于国产光刻机来说无疑是巨大的进步。
此前中国在双工作台、物镜系统等方面都已取得了进步，如今哈工大公布的两项关键技术，可以说是解决光刻机量产的最后一步，不仅先进的DUV光刻机有望实现，甚至EUV光刻机也将加快量产进程。
其次则是中芯国际公布的SAQP技术，该项技术可以现有的DUV光刻机生产7纳米工艺，而中芯国际已采用该项技术突破到10纳米，印证了技术可行性，显示出国内的技术专家积极利用现有的设备推进先进工艺的发展。
以DUV光刻机生产先进工艺，目前已有美光和台积电验证过，美光认为EUV光刻机太贵了，用DUV光刻机生产先进工艺芯片可以降低芯片生产成本；台积电当初以DUV光刻机加上多重曝光技术量产7纳米，则是为了确保7纳米工艺的量产进程，后来才在7纳米工艺上引入EUV光刻机。
中国芯片行业公布的这些新技术，突显出国内芯片行业考虑现有的芯片设备现实，通过以现有的设备推进先进工艺，这是最为切实可行的，可以迅速满足国内芯片行业对先进芯片制造工艺的需求，业界预期10纳米工艺就能满足国内超过七成的芯片需求。
如果中芯国际以SAQP技术进一步推进到7纳米工艺，那么国产芯片的九成需求都能得以满足，还有国产的小芯片技术，这些技术结合在一起可以提供高性能的芯片，即使是对性能有较高要求的服务器芯片、PC处理器都能靠7纳米工艺得以满足。
先进光刻机的研发则是远期计划，毕竟解决光刻机问题才能从根本上解决芯片制造的问题，而哈工大研发的这些先进技术可望为国产芯片解决长远的发展问题，凸显出国内芯片产业链的前瞻性，并未因为当前遇到困难而止步。
国产芯片在先进光刻机和先进工艺技术上的进展，让外媒震惊，他们没有想到中国的进展如此之快，光刻机巨头ASML近期也改了口风，ASML高管表示中国迟早能生产出先进光刻机，先进工艺问题终将得到解决，只是ASML高管恐怕也没想到竟然如此迅速罢了。
中国芯片所取得的这些技术进展，证明了国内产业链的基础相当厚实，可以通过分工合作的方式，加快各项技术的突破，最终解决光刻机的关键技术问题，而芯片制造行业也并未停下来等待，积极利用现有的设备开发更先进的工艺，解决了国产芯片的近期目标和远期目标问题，因此外媒表示真的挡不住中国芯片前进的脚步了。
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