针对高可靠性和高性能优化的1200V碳化硅沟道MOSFET
本文详细分析了新开发的Infineon 1200V CoolSiC™ MOSFET的典型静态和动态性能，该器件的设计目标是45 mΩ的导通电阻。为了与各种标准门极驱动器兼容，该器件的门压范围设计为在关态下为-5 V，在开态下为+15 V。经过长期门氧寿命测试，发现该器件的外在故障演化遵循线性E模型，
本文详细分析了新开发的Infineon 1200V CoolSiC™ MOSFET的典型静态和动态性能，该器件的设计目标是45 mΩ的导通电阻。为了与各种标准门极驱动器兼容，该器件的门压范围设计为在关态下为-5 V，在开态下为+15 V。经过长期门氧寿命测试，发现该器件的外在故障演化遵循线性E模型，
